F04

F04是一款AD型1T51高速内核的FLASH型MCU

产品特性


Ø   

¡  1T 8051内核,兼容标准8051指令集

¡  内核最高工作频率 16MHz

Ø   

¡  16K字节MAIN FLASH程序存储器,支持IAP功能(IAP操作时CPU暂停运行)

¡  512字节DATA FLASH数据存储器,支持IAP功能(IAP操作时CPU暂停运行)

¡  256字节核内SRAM 768字节核外SRAM

Ø   

¡  内置上电复位POR

¡  内置掉电复位BOR,支持4档掉电检测电压2.1V, 2.5V, 3.7V, 4.2V

¡  支持外部复位端口RSTN,低电平复位

Ø   

¡  外部2MHz-20MHz晶体振荡器,支持振荡器停振检测功能

¡  内部16MHz高精度振荡器(出厂校准精度<±1%,全温工作精度<±2%

¡  内部16kHz低功耗振荡器

Ø  工作条件

¡  VDD工作电压范围 2.0~5.5V

¡  VREF工作电压范围2.6~5.5V

工作温度范围  -40~85

Ø  低功耗

¡  支持IDLESLEEP两种低功耗模式

¡  待机睡眠功耗典型值3uA

¡  16kHz运行功耗典型值25uA

¡  16MHz运行功耗典型值3mA

 

Ø   

¡  最多支持18I/O端口

¡  所有端口支持独立弱上拉和弱下拉控制

¡  所有端口支持外部中断功能复用

¡  最多支持10个大电流驱动输出口,最大灌电流80mA

  

Ø   

¡  416位定时/计数器TMR

¡  3路边沿捕捉器CAP

¡  3组独立16位脉宽调制器PWM,每组支持2PWM输出通道

¡  1IIC总线控制器, 支持3组分时通信端口

¡  1SPI总线控制器

¡  1UART收发器,支持4组分时通信端口

¡  1路模拟比较器ACP

¡  内置低电压检测模块LVD

¡  12通道12SAR结构ADC,最高采样率500KHz

¡  内置多档可选高精度参考电压VREF(出厂校准精度<±10mV


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产品选型:

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